P 채널 MOSFET을 하이 사이드 스위치로 사용하고 있습니다. 괜찮아. 배선 방향이 좋습니다.

“제어”가 12V 이상이면 스위치가 “꺼집니다”. 10V 이하로 떨어지면 MOSFET이 전도를 시작합니다 (정확히 떨어 뜨려야하는 양은 디바이스의 Vgs 임계 값에 따라 다름).

일반적으로 로직 레벨 제어 (0-5V 또는 0-3.3V)를 사용하려면 게이트에서 소스로 풀업 저항 (예 : 1kOhm 정도)과 소 신호 N 채널 MOSFET을 사용합니다. 게이트와 그라운드. 신호가 더 작은 N 채널 MOSFET의 게이트로 들어가면 신호가 열리고 P 채널의 게이트가 접지로 당겨 져서 P 채널이 차단 된 방향으로 전도되기 시작합니다. (항상 다른 방향으로 진행되므로 터미널을 전환하지 마십시오!)

소 신호 N 채널의 게이트가 다시 접지되면 전도가 중단됩니다. 입력 전압이 P 채널 MOSFET의 게이트를 끌어 올리고 P 채널의 전도가 중단됩니다.

누군가 로직 레벨 입력 으로이 P 채널 MOSFET을 제어하기위한 회로도를 요청했기 때문에 이것을 추가하도록 편집했습니다.

^{이 회로 시뮬레이션 – CircuitLab을 사용하여 작성된 회로도}

구성 요소의 이름을 변경하는 방법을 알 수 없었습니다. 일반적으로 하단 N 채널 스위처의 BS170과 같은 신호 트랜지스터가 필요합니다. 또한 전류 소비와 빠른 스위칭의 바람직한 트레이드 오프에 대한 저항을 조정할 수 있습니다 (전류 값은 빠른 스위칭에 상당히 공격적입니다. 10kOhm은 종종 잘 작동합니다). . 부하 자체가 출력을 0V로 낮추면 예, 출력을 0V와 12V 사이에서 전환 할 수 있습니다. 부하가 순전히 용량 성인 경우 Kurt 쇼와 같이 출력과 접지 사이에 풀다운 저항이 필요합니다.

Kurt가 제안한 것처럼 N 채널 MOSFET은 로우 엔드이거나 부트 스트랩 / 충전 펌프 회로를 사용하여 12V 소스 전압 이상의 게이트 전압을 상승시키는 경우에만 작동합니다. “하이 사이드 스위치”인 N- 채널은 회로를 많이 만들거나 (P- 채널 문제 비용) 회로가 손실에 매우 민감한 경우에만 사용됩니다 (따라서 N- 채널의 낮은 Rdson 문제).

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